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保利协鑫游达:铸锭单晶产品性价比持续提升
2018-11-07 17:45:12   来源:PV News   作者:于红波采编  点击:

  近期,晶体硅生长技术论坛在杭州召开。此次论坛由亚化咨询主办,云集了协鑫、阿特斯、荣德等主流长晶企业技术专家,精功科技、晶盛机电、GTAT等设备制造商负责人,以及浙江大学、江苏大学教授等权威专家。保利协鑫长晶事业部总裁游达博士参会并作《GCL铸锭单晶技术进展》报告。游达博士认为,铸锭单晶拥有更低氧含量、更低衰减、无缺角,性价比优势非常明显。
 

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  游达博士认为,多晶铸锭硅片产品技术优势为高产能、低光衰、低封装损失;Cz单晶产品转换效率高、位错密度低、可以采用碱制绒工艺,采用铸锭方法生产的单晶硅片兼具二者技术优势。部分下游客户使用反馈,叠加PERC技术后,铸锭单晶与Cz单晶效率差最少仅为0.18%,而成本大幅降低。而且,数据显示,铸锭单晶光衰比Cz单晶产品低0.5%以上,长期发电量更高。

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  游达博士表示,铸锭单晶硅片还可以更好的兼容下游终端产品,由于不存在缺角,其硅片面积100%可利用,比Cz单晶面积大2%。高效铸锭单晶组件(60片)可以封装到310瓦。在同功率输出的条件下,铸锭单晶组件价格比Cz单晶低0.06元/瓦,度电成本低0.006元/度。

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  游达博士介绍,保利协鑫2011年即开始研究铸锭单晶技术,已经发布第三代产品。目前,保利协鑫铸锭热场工艺、锭检设备、产品品质全面升级,对称性热场,分段式加热控制有效降低位错,实现高品质整锭单晶。继金刚线切黑硅片之后,铸锭单晶硅片将成为对市场有重大影响的差异化产品。

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